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射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光
作者姓名:王卿璞  张德恒  薛忠营
作者单位:山东大学物理与微电子学院 济南250100 (王卿璞,张德恒),山东大学物理与微电子学院 济南250100(薛忠营)
基金项目:国家自然科学基金 (批准号 :60 0 760 0 6),教育部博士点基金 (批准号 :2 0 0 0 0 42 2 0 4)资助项目~~
摘    要:用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶 Zn O薄膜 .在室温下进行光致发光测量 ,观察到明显的紫光发射 (波长为 4 0 2 nm )和弱的紫外光发射 (波长为 384 nm ) .紫光发射源于氧空位浅施主能级到价带顶的电子跃迁 ;紫外光发射则源于导带与价带之间的电子跃迁 .随着光激发强度的增加 ,紫光发射强度超线性增强 ,且稍有蓝移 ,而紫外光发光强度则近似线性增加 .在氧气中高温退火后 ,薄膜结晶质量明显提高 ,紫光发射强度变弱 ,紫外光发射相对增强 .

关 键 词:ZnO薄膜   射频磁控溅射   Si衬底   光致发光
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