基于双正交提升小波的单晶硅绒面的去噪研究 |
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引用本文: | 徐瑞芬.基于双正交提升小波的单晶硅绒面的去噪研究[J].数字社区&智能家居,2012(3X):2087-2089. |
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作者姓名: | 徐瑞芬 |
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作者单位: | 丽水职业技术学院机电信息分院 |
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摘 要: | 单晶硅绒面在制绒时随着制绒液的浓度的变化,有可能会导致腐蚀不均匀,绒面的顶部或底部会有准方形的凹坑出现。基于双正交小波,结合提升小波的优点,形成双正交提升小波,对单晶硅绒面进行去噪处理。结果表明,双正交提升小波能将表面的"凹坑"缺陷去除,并以光的吸收率为依据将"凹坑信号"等价为"小的三角形"。
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关 键 词: | 单晶硅绒面 双正交提升小波 凹坑 去噪 |
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