| 漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT的研究（Ⅰ）——低压截止动态泄漏电流的温度特性 |
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| 引用本文： | 张海鹏 宋安飞 等. 漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT的研究（Ⅰ）——低压截止动态泄漏电流的温度特性[J]. 固体电子学研究与进展, 2001, 21(1): 37-42 |
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| 作者姓名： | 张海鹏 宋安飞 等 |
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| 作者单位： | 张海鹏（东南大学微电子中心，南京，210096）;宋安飞（东南大学微电子中心，南京，210096）;杨国勇（东南大学微电子中心，南京，210096）;冯耀兰（东南大学微电子中心，南京，210096）;魏同立（东南大学微电子中心，南京，210096） |
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| 摘 要： | 提出了一种新结构薄膜SOI LIGBT－漂移区减薄的多沟道薄膜SOI LIGBT（DRTMC TFSOI LIGB）。主要研究了其低压态泄漏电流在423－573K范围的 温度特性。指出，通过合理的设计可以使该种新器件具有很低的的截止态高温泄漏电流，很高的截止态击穿电压，足够大的正向导通电流和足够低的正向导通压降。还指出，它不仅适用于高温低压应用，而且适用于高温高压应用。
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| 关 键 词： | 多沟道薄膜 绝缘层 横向绝缘栅双极晶体管 泄漏电流 漂移区 LIGBT |
| 文章编号： | 1000-3819（2001）01-0037-06 |
| 修稿时间： | 1999-08-06 |
Research on Drift RegionThinned Multi-channel Thin-film SOI LIGBT |
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| Abstract. Research on Drift RegionThinned Multi-channel Thin-film SOI LIGBT[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2001, 21(1): 37-42 |
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| Authors: | Abstract |
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