|
|||||
|
|
| 甚大规模集成电路制造中的离子注入技术 | |
| 引用本文： | 程玉华,王阳元.甚大规模集成电路制造中的离子注入技术[J].微细加工技术,1991(3):50-57,64. |
| 作者姓名： | 程玉华 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所，北京大学微电子学研究所 北京 100871，北京 100871 |
| 摘 要： | 本文总结了离子注入技术用于今后甚大规模集成电路(ULSI)时的部分研究结果,并讨论了在ULSI应用中离子注入技术可能遇到的实际问题及解决措施。就目前而言,已有的离子注入技术(包括离子注入设备系统)尚不能满足甚亚微米器件和电路制造的需要。今后的主要任务除了开发与离子注入技术相配套的其它半导体工艺设备和技术之外,必须要探索和研究具有更强加工能力(可加工φ75mm到φ200mm硅片)、性能更可靠(均匀性、重复性小于1％)、参数指标范围更宽(注入角度全方位可调且精确可控、束流可大于200毫安、注入能量从几百eV到几百keV)的新一代离子注入系统。 |
| 关 键 词： | 集成电路 制造 离子注入 VLSI |
ION IMPLANTATION TECHNOLOGY IN THE MANUFACTURING OF ULSF' s |
|
| Cheng Yuhua and Wang Yangyuan.ION IMPLANTATION TECHNOLOGY IN THE MANUFACTURING OF ULSF'''' s[J].Microfabrication Technology,1991(3):50-57,64. | |
| Authors: | Cheng Yuhua and Wang Yangyuan |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ultra-Large Scale Integrated Circuits (ULSP s) Ion implant ation technology Shallow junction Drain engineering in MOSFET's |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |