| 8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制 |
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| 引用本文： | 刘果果,郑英奎,魏珂,李诚瞻,刘新宇,和致经.8W AlGaN/GaN HEMT功率器件的研制[J].半导体学报,2008,29(7):1354-1356. |
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| 作者姓名： | 刘果果 郑英奎 魏珂 李诚瞻 刘新宇 和致经 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划
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中国科学院重点创新 |
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| 摘 要： | 报道了基于国产衬底以及国产外延的AlGaN/GaN HEMT X波段功率器件的研究进展.利用国产衬底以及外延材料,优化了器件栅场板的结构,研制成功栅长0.35μm,栅宽为lmm的微波功率器件.该器件输出电流密度达到0.83A/mm,击穿电压大于100V,跨导为236mS/mm,截止频率(fT)达到30GHz,最大振荡频率(fmax)为32GHz,8GHz下在片进行连续波测试,漏端电压为40V时测试得到功率增益4.9dB,输出功率达8W,功率附加效率(PAE)为45%.
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波功率 栅场板 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)07-1354-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月30 |
An 8W X Band AlGaN/GaN Power HEMT |
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| Liu Guoguo,Zheng Yingkui,Wei Ke,Li Chengzhan,Liu Xinyu and He Zhijing.An 8W X Band AlGaN/GaN Power HEMT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2008,29(7):1354-1356. |
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| Authors: | Liu Guoguo Zheng Yingkui Wei Ke Li Chengzhan Liu Xinyu and He Zhijing |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN HEMT microwave power gate-connected field plate |
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