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EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度
引用本文:李永良,杨锡震,周燕,李承基,李蕴言.EBIC测定GaP LPE样片的少子扩散长度[J].电子显微学报,2000,19(4):581-582.
作者姓名:李永良  杨锡震  周燕  李承基  李蕴言
作者单位:1. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875;中科院半导体材料开放实验室,北京,100083
2. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875
3. 中科院半导体材料开放实验室,北京,100083
摘    要:少数载流子扩散长度(L)是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关.扫描电子显微镜(SEM)的电子束感生电流(EBIC)被广泛地用于测定少子扩散长度,其优点是通过改变电子束的加速电压,就能精确地控制激发源的大小和深度,从获得的EBIC扫描曲线,拟合得到L值1~3].GaP是目前商用绿色LED的主要材料,市场需求量很大,但对其重要参量少子扩散长度的测量却很少.本工作利用EBIC对一组GaP绿色LED用LPE样片进行少子扩散长度测量.

关 键 词:EBIC  半导体  磷化铟  LPE样片  分子扩散长度

Determining the minority diffusion length on Gap LPE samples using EBIC
LI Yong-liang,YANG Xi-zhen,ZHOU Yan,LI Cheng-ji,LI Yun-yan.Determining the minority diffusion length on Gap LPE samples using EBIC[J].Journal of Chinese Electron Microscopy Society,2000,19(4):581-582.
Authors:LI Yong-liang  YANG Xi-zhen  ZHOU Yan  LI Cheng-ji  LI Yun-yan
Abstract:
Keywords:
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