基于MCNP对γ辐射积累因子不同影响因素的研究 |
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作者姓名: | 赵峰 周四春 张保静 赵春江 鲍小柯 |
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作者单位: | 成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都,610059 |
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摘 要: | 通过蒙特卡罗程序来模拟计算γ辐射积累因子,以找出不同条件下积累因子受各因素的影响,为屏蔽研究提供一定的数据参考。就γ辐射积累因子的影响因素:γ光子能量,源的几何尺寸,辐射角和屏蔽层厚度,通过MCNP程序进行了模拟计算。初步结论为:轻元素和中等元素构成的介质在厚度一定的情况下,积累因子随着γ光子初始能量的减小而增大;相对于轻材料,重材料的积累因子较小;随着源的线度增大而增大;随着准直角进一步增大而增大,源的各向同性程度增高会导致积累因子增加;随着源与探测器之间介质厚度的增加,积累因子增大,对于高能辐射源和具有中偏低原子序数Z的元素,积累因子增长速率接近于线性。
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关 键 词: | γ辐射 积累因子 几何模型 MCNP模拟 |
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