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| 基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究 | |
| 引用本文： | 张显斌,李琦,田立强,屈光辉,施卫. 基于砷化镓材料的高功率超快光电导开关研究[J]. 高电压技术, 2002, 28(5): 40-42 |
| 作者姓名： | 张显斌 李琦 田立强 屈光辉 施卫 |
| 作者单位： | 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :5 0 0 770 17) |
| 摘 要： | 简述了超快光电导开关的原理 ,分析了提高超快电脉冲时间特性的方法。通过辐照在 Ga As内部引入深能级陷阱 ,并用基于此种材料的光电导开关在实验中获得了上升时间 <2 0 0 ps的超快电脉冲波形。实验表明深能级的引入有利于开关对长波限激光脉冲的吸收。 |
| 关 键 词： | 光电导开关 GaAs材料 超快电脉冲 |
| 修稿时间： | 2002-01-16 |
Research on High Power Ultra-fast Photoconductive Switch based on GaAs Material |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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