| 1．3～2．2 GHz低噪声低功耗 CMOS LC VCO的设计 |
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| 引用本文： | 陈华,郭桂良,张玉琳,姜宇,韩荆宇,阎跃鹏. 1．3～2．2 GHz低噪声低功耗 CMOS LC VCO的设计[J]. 微电子学与计算机, 2015, 0(1) |
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| 作者姓名： | 陈华 郭桂良 张玉琳 姜宇 韩荆宇 阎跃鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家“八六三”重大专项资助项目 |
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| 摘 要： | 基于TSMC 0．18μm RFCMOS工艺，设计并实现了一个宽带低功耗低相位噪声的高性能压控振荡器（VCO）．为实现1．3～2．2 GHz调谐范围，VCO采用7‐bit（128根调谐曲线）固定电容阵列，同时也获得了超低的增益，降低了相位噪声．为弱化宽调谐范围带来的增益波动，VCO采用3‐bit可变电容阵列来提升低带曲线的斜率，以期与高带一致．为实现每根曲线的宽线性范围，可变电容采用分布式偏置电压技术．为降低相位噪声，还提出了一种输出零偏置架构以及电流源噪声滤除技术．测试结果表明，调谐电压的线性范围为0．2～1．6 V ；VCO输出频率范围为1．3～2．17 GHz ；高带调谐曲线叠合超过50％，低带超过80％；VCO增益仅为19 M Hz／V ；增益波动范围为13～25 M Hz／V ．当振荡频率为1312 M Hz ，1 M Hz 频偏处相位噪声为－116．53 dBc／Hz ；当振荡频率为2152 M Hz ，1 M Hz频偏处相噪为－112．78 dBc／Hz ．VCO功耗电流为1．2～3．2 mA ，电源电压为1．8 V ．提出的VCO既能提供51％的频率覆盖，又能实现低相位噪声，已经被成功应用于工业自动化无线传感网（WIA ）射频收发机芯片中．
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| 关 键 词： | 宽带 低相位噪声 低功耗 压控振荡器 锁相环 频率综合器 |
A 1 .3~2 .2 GHz Low Phase-Noise Low-Power CMOS LC VCO |
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| CHEN Hua,GUO Gui-liang,ZHANG Yu-lin,JIANG Yu,HAN Jing-yu,YAN Yue-peng. A 1 .3~2 .2 GHz Low Phase-Noise Low-Power CMOS LC VCO[J]. Microelectronics & Computer, 2015, 0(1) |
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| Authors: | CHEN Hua GUO Gui-liang ZHANG Yu-lin JIANG Yu HAN Jing-yu YAN Yue-peng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wide band low phase noise low power voltage-controlled oscillator synthesizer |
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