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| 高速耗尽型MOS | |
| 引用本文： | 石甫.高速耗尽型MOS[J].微电子学,1972(5). |
| 作者姓名： | 石甫 |
| 摘 要： | 耗尽型 MOS 器件出现较早,但是只是现在才可能实现高速工作。日本日立公司采用了热扩散控制的方法,使耗尽型 MOS 移位寄存器最高能工作在30兆赫。电路中的驱动晶体管采用扩散自对准工艺控制其沟道长度,因此沟道长度仅与两次扩散的深度有关,而与掩模对准的精度完全无关。沟道长度类似于双报晶体管的基区宽 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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