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| p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性 | |
| 引用本文： | 张福甲,彭军.p型GaP与Pd/Zn/Pd欧姆接触的冶金性质及界面特性[J].半导体学报,1993,14(3):154-159. |
| 作者姓名： | 张福甲 彭军 |
| 作者单位： | 兰州大学物理系，兰州730000 |
| 摘 要： | 用扫描电镜、X射线衍射谱、能量色散谱及Ar~+离子溅射刻蚀的各元素的俄歇剖面分布,对Pd为基底的P型GaP的欧姆接触层的性质进行了研究。从而揭示了这种金属──半导体接触层形成良好欧姆电极的表面形貌、相变反应、界面状态及各冶金成份在界面层中的变化规律。 |
| 关 键 词： | 化合物半导体 GaP 欧姆接触 冶金 |
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