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一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计
引用本文:曾劲,张立群,雷鑑铭.一种基于低压CMOS技术的高压容限电源模块设计[J].计算机与数字工程,2007,35(2):176-178.
作者姓名:曾劲  张立群  雷鑑铭
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074;华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
摘    要:设计了一种电源输入模块,可承受高达两倍单管工艺极限电压的供电电压。该模块使用共源共栅结构和偏置跟踪技术,基于0.35μm、5V的低压CMOS工艺,可耐受高达12V的供电电压输入。该模块可用于高度集成的电源管理芯片,使之能适用于多种电源,并能消除瞬态过电压给芯片内部电路带来的影响。

关 键 词:共源共栅  偏置跟踪  高压容限  低压CMOS
修稿时间:2006年4月7日

A Design of High-voltage-tolerant Power-supply Module with Low-voltage CMOS Technology
Zeng Jin.A Design of High-voltage-tolerant Power-supply Module with Low-voltage CMOS Technology[J].Computer and Digital Engineering,2007,35(2):176-178.
Authors:Zeng Jin
Abstract:A power-supply module that is tolerant of supply voltages up to twice the process limit for individual CMOS transistors is presented.This circuit, with a cascode topology and a bias voltage tracking technique,can be tolerant of input voltage up to 12V in a 5V CMOS process.The application of this module in highly integrated power-management ICs allows their use with a variety of power supply sources,and eliminates the effects of over-voltage to the internal circuits.
Keywords:Cascode  bias voltage tracking  high-voltage-tolerant  low-voltage CMOS
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