| 高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用 |
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| 引用本文： | 邓云龙,廖常俊,刘颂豪. 高p型掺杂对高亮度发光二极管的作用[J]. 半导体技术, 2002, 27(4): 72-75. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.04.022 |
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| 作者姓名： | 邓云龙 廖常俊 刘颂豪 |
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| 作者单位： | 华南师范大学量子电子学研究所,广东,广州,510631 |
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| 摘 要： | 根据统计学理论系统分析了p掺杂在高亮度发光二极管中(HB-LED)的作用,研究了p型限制层掺杂浓度及浓度梯度变化时导带势垒的变化,由此得到对提高电子有效约束的浓度范围;提高电流扩展层的掺杂浓度,减小电阻率,使得注入器件的电流得到充分的扩展.两者是提高器件的外量子效率非常有效的方法.实验证明了理论分析是正确的.
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| 关 键 词： | 发光二极管 p型高掺杂 高亮度发光二极管 电流扩散 |
| 文章编号： | 1003-353X(2002)04-0072-04 |
| 修稿时间： | 2001-08-10 |
High p doping method manufactured high bright light emitting diodes |
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| DENG Yun-long,LIAO Chang-jun,LIU Song-hao. High p doping method manufactured high bright light emitting diodes[J]. Semiconductor Technology, 2002, 27(4): 72-75. DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2002.04.022 |
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| Authors: | DENG Yun-long LIAO Chang-jun LIU Song-hao |
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| Abstract: | By systematically analyzing the effect of p doping in high bright light emittingdiodes, a method of high p doping in p cladding and current spread layer to increase its externalquantum efficiency is precented. The result of experiment and calculation proved this point of view. |
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| Keywords: | LED high p-doping HB-LED current spread |
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