| GaN MOCVD生长机制的量子化学计算 |
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| 引用本文： | 张禹,王克昌,张荣,谢自力,韩平.GaN MOCVD生长机制的量子化学计算[J].材料导报,2007,21(9):127-129. |
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| 作者姓名： | 张禹 王克昌 张荣 谢自力 韩平 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093;北京科技大学物理系,北京,100083;北京科技大学物理系,北京,100083;南京大学物理系,南京,210093;江苏省光电功能材料重点实验室,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，国家自然科学基金，国家自然科学基金，教育部科学技术研究项目，教育部高等学校博士学科点专项科研基金，江苏省自然科学基金，北京科技大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 综述了近年来利用量子化学计算方法对GaN MOCVD生长机制的研究,详细阐述了近年文献报道的一些GaN MOCVD的生长模型,总结了利用不同生长模型进行计算得出的结果.研究表明,通过对GaN生长模型进行量子化学计算,可以提供GaN生长过程中详细的化学反应信息,对进一步了解GaN MOCVD生长的微观机制具有重要的意义.
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| 关 键 词： | GaN MOCVD 量子化学计算 生长模型 |
Quantum Chemistry Calculation of GaN Growth Mechanism by MOCVD |
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| ZHANG Yu,WANG Kechang,ZHANG Rong,XIE Zili,HAN Ping.Quantum Chemistry Calculation of GaN Growth Mechanism by MOCVD[J].Materials Review,2007,21(9):127-129. |
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| Authors: | ZHANG Yu WANG Kechang ZHANG Rong XIE Zili HAN Ping |
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| Affiliation: | 1 Department of Physics, Nanjing 2 Key Laboratory of Advanced Photonic and 3 Department of Physics, University of Science University, Nanjing 210093 ; Electronic Materials, Nanjing 210093; and Technology Beijing, Beijing 100083 |
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| Abstract: | In this paper, recent researches of quantum chemistry calculation for GaN growth mechanisms are presented. The recent GaN growth models are discussed in detail, meanwhile the computational results from various GaN growth models are provided. The results indicate that the method of quantum chemistry calculation could provide a variety of information of chemical reaction during GaN growth, which will help to understand micro-mechanism of GaN growth. |
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| Keywords: | GaN MOCVD |
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