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烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响
引用本文:刘培祥,孙清池,何杰,李红元. 烧结温度对PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响[J]. 稀有金属材料与工程, 2008, 37(Z1): 371-373
作者姓名:刘培祥  孙清池  何杰  李红元
作者单位:天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津,300072
基金项目:天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室资助项目
摘    要:选取PMN-PNN-PZT四元系压电陶瓷准同型相界附近配方,采用传统的氧化物混合合成工艺制备压电陶瓷材料.研究了不同烧结温度对该四元系压电陶瓷微观结构和压电性能的影响,研究结果表明在1180℃烧结时,晶粒生长很好,晶界处结合致密,压电性能也最好d33=475pC/N,ε33T/ε0=3203, Qm=82,Kp=0.59,tanδ=1.8%.

关 键 词:压电陶瓷  四元系  准同型相界  微观结构
文章编号:1002-185X(2008)S1-371-03
修稿时间:2007-09-10

Effect of Sintering Temperature on the Microstructure and Piezoelectric Properties of the PMN-PNN-PZT Quaternary Piezoelectric Ceramics
Liu Peixiang,Sun Qingchi,He Jie,Li Hongyuan. Effect of Sintering Temperature on the Microstructure and Piezoelectric Properties of the PMN-PNN-PZT Quaternary Piezoelectric Ceramics[J]. Rare Metal Materials and Engineering, 2008, 37(Z1): 371-373
Authors:Liu Peixiang  Sun Qingchi  He Jie  Li Hongyuan
Abstract:
Keywords:
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