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| GeSeTe系统的光电能隙 | |
| 作者姓名： | 闵嗣桂 杨涵美 陈宗才 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所，中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所，中国科学院上海硅酸盐化学与工学研究所 |
| 摘 要： | 本工作的目的是通过组成与光电性能关系的研究,以期达到根据禁带宽度与组成的关系,设计化学组份,以获得各种不同禁带宽度的基体.固定禁带宽度,变动化学组成,以研究掺杂效果.硫系半导体掺入杂质量较多,估计掺入的金属元素与基体间的化学键有一定联系,通过在不同基体中掺杂不同元素,可以探索掺杂效果,本工作仅进行了组成与光电性能的研究. |
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