| TEOS-H_2O等离子CVD新技术 |
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| 引用本文： | 李明月,林文长,夏雷,刘英坤,张健,杨基南,吴京波. TEOS-H_2O等离子CVD新技术[J]. 微纳电子技术, 1999, 0(5) |
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| 作者姓名： | 李明月 林文长 夏雷 刘英坤 张健 杨基南 吴京波 |
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| 作者单位： | 电子十三所!石家庄050051(李明月，林文长，夏雷，刘英坤，张健)，电子四十八所!长沙410111(杨基南，吴京波) |
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| 摘 要： | 介绍了用正硅酸乙酯和水混合物进行等离子体增强化学汽相淀积制备氧化硅膜的原理和工艺， 对膜质量进行了分析和讨论
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学汽相淀积 正硅酸乙酯 水 二氧化硅膜 |
A New Technology of TEOS H 2O PECVD |
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| Li Mingyue,Lin Wenchang,Xia Lei,Liu Yingkun,Zhang Jian. A New Technology of TEOS H 2O PECVD[J]. Micronanoelectronic Technology, 1999, 0(5) |
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| Authors: | Li Mingyue Lin Wenchang Xia Lei Liu Yingkun Zhang Jian |
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| Abstract: | The principle and technique of plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD)silicon oxide films using tetraethoxysilane(TEOS)and water(H 2O)as reactive materials were introduced.Then the film quality was analyzed and discussed. |
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| Keywords: | PECVD TEOS H 2O SiO 2 |
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