| 非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性 |
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| 引用本文： | 董宏伟,赵有文,焦景华,赵建群,林兰英.非掺半绝缘磷化铟晶片的制备及其均匀性[J].半导体学报,2002,23(1):53-56. |
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| 作者姓名： | 董宏伟 赵有文 焦景华 赵建群 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室，中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室，中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室，中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室，中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室 北京100083，北京100 |
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| 摘 要： | 对高温退火非掺磷化铟 (In P)制备的半绝缘晶片的电学性质和均匀性进行了研究 .非掺低阻 N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下进行 930℃、80 h退火均可获得半绝缘材料 .但在这两种条件下制备的两种 5 0 mm半绝缘晶片却呈现出不同的电学性质和均匀性 .纯磷气氛下制备的磷化铟片的电阻率和迁移率分别达到 10 6 Ω·cm和 180 0 cm2 / (V· s) ;而在磷化铁气氛下退火获得的半绝缘片的电阻率和迁移率分别高达 10 7Ω· cm 和30 0 0 cm2 / (V· s)以上 .对这两种半绝缘片和原生掺铁磷化铟半绝缘片的 PL - Mapping结果进一步比较表明 :在磷化铁气氛下
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| 关 键 词： | 磷化铟(InP) 非掺 半绝缘 均匀性 霍耳(Hall) PL-Mapping |
Uniformity of Undoped Semi-Insulating Indium Phosphide Wafers |
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| Dong Hongwei,Zhao Youwen,Jiao Jinghua,Zhao Jianqun and Lin Lanying.Uniformity of Undoped Semi-Insulating Indium Phosphide Wafers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(1):53-56. |
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| Authors: | Dong Hongwei Zhao Youwen Jiao Jinghua Zhao Jianqun and Lin Lanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | indium phosphide(InP) undoped semi insulating Hall PL Mapping uniformity |
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