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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
ECR-CVD法制备BN薄膜
作者姓名:
张生俊
崔贲涛
王波
严辉
陈光华
作者单位:
北京工业大学材料学院,北京,100022
摘 要:
cBN薄膜的CVD制备是一个很受关注的课题.本文研究了ECR-CVD系统的等离子体特性,并在Si(100)衬底上进行了BN薄膜的生长实验,初步获得了cBN含量约为23.8%的BN薄膜;分析了H2在CVD生长cBN中的影响.
关 键 词:
电子回旋共振
cBN
薄膜
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