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| Sol—Gel工艺Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜制备与晶相结构研究 | |
| 作者姓名： | 王华 于军 等 |
| 作者单位： | [1]桂林电子工业学院通信与信息工程系，广西桂林541004 [2]华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074 |
| 摘 要： | 采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜。研究了退火温度，退火时间，薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响，研究表明，退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著，而且随退火温度升高，Bi4TiO12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长；退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显；薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结合的影响不大。 |
| 关 键 词： | Sol－Gel法 铁电薄膜 晶相结构 制备工艺 钛酸铋 铁电材料 |
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