| 电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究 |
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| 引用本文： | 张庆丰,谷锦华,郭学军,王之健,卢景霄. 电子束蒸发技术制备ITO薄膜的光电特性和微结构研究[J]. 真空, 2008, 45(3): 55-58 |
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| 作者姓名： | 张庆丰 谷锦华 郭学军 王之健 卢景霄 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料重点实验室,河南,郑州,450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜,研究了衬底温度,氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响,结果表明在衬底为350℃,氧分压为2.0×10-2 Pa,沉积速率在3 nm/min的条件下制得透过率T81%,电阻率p=1.9×10-3 Ω·cm的ITO透明导电膜.另外我们通过XRD对样品的微结构进行了分析,发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同,也有显著的规律变化.
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| 关 键 词： | ITO透明导电膜 电子束蒸发 光电性能 微结构 电子束 蒸发技术 薄膜 光电特性 微结构研究 electron beam evaporation films microstructure 规律 制备条件 晶粒大小 晶格常数 发现 分析 样品 电阻率 透过率 结果 影响 变化 |
| 文章编号： | 1002-0322(2008)03-0055-04 |
| 修稿时间： | 2007-09-29 |
Photoelectrical properties and microstructure of ITO films prepared by electron beam evaporation |
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| ZHANG Qing-feng,GU Jin-hua,GUO Xue-jun,WANG Zhi-jian,LU Jing-xiao. Photoelectrical properties and microstructure of ITO films prepared by electron beam evaporation[J]. Vacuum(China), 2008, 45(3): 55-58 |
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| Authors: | ZHANG Qing-feng GU Jin-hua GUO Xue-jun WANG Zhi-jian LU Jing-xiao |
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