| 全氧化镓薄膜同质p-n结（英文） |
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| 作者姓名： | 翟泓超 刘晨星 吴征远 马聪聪 田朋飞 万景 康俊勇 褚君浩 方志来 |
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| 作者单位： | 1. Academy for Engineering and Technology, and School of Information Science and Technology, Fudan University;2. Institute of Optoelectronics, Fudan University;3. Collaborative Innovation Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices, Department of Physics, Xiamen University |
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| 基金项目： | supported by the National Key R&D Program of China (2022YFB3605500 and 2022YFB3605503)；;the National Natural Science Foundation of China (62074039 and 12004074)；;China Postdoctoral Science Foundation (2020M681141)； |
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| 摘 要： | 制备p-n结以及探索其物理机制在发展各种功能器件和推进其实际应用中起到关键作用.超宽禁带半导体在制备高压高频器件上有着巨大的潜力,但是氧化镓p型掺杂困难限制了氧化镓同质p-n结的制备,进而阻碍了全氧化镓基双极型器件的发展.本文通过一种先进的相转变生长技术结合溅射镀膜的方法,成功制备了n型锡掺杂β相氧化镓/p型氮掺杂β相氧化镓薄膜.本工作成功制作了全氧化镓单边突变同质p-n结二极管,并且详细分析了器件机理.该二极管实现了4×104的整流比、在40 V下9.18 mΩcm2的低导通电阻、4.41 V的内建电势和1.78的理想因子,并在交流电压下表现出没有过冲的整流特性以及长期稳定性.本工作为氧化镓同质p-n结初窥门径,为氧化镓同质双极型器件奠定了基础,为高压高功率器件的应用开创了道路.
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