采用MOCVD法在垂直高速旋转的圆盘反应器内在GaAs上多片生长CdTe

采用MOCVD法在通用垂直高速旋转的圆盘反应器内在GaAs(100)和GaAs(111)衬底上生长了CdTe(111)层,用二甲基镉(DMCd)和二异丙基碲(D1PTe)作为生长原料,在380℃至402℃的温度范围内测量了生长速度,在生长温度高于368℃时获得了大于50％的二甲基镉克分子的生长速度,在(111)衬底上的温度380℃时获得了CdTe(111)的(422)和(333)反射面的x-射线摆动曲线<半峰值处90反正割(arcsec)宽度,劈裂晶片上的扫描电镜分析和红外干涉光谱表明带边一带边厚度的均匀性为1.3％.为获得TO声子光谱,用付立叶红外转换光度计测量了远红外反射率,数据表明,CdTe的厚度和介电常数非常均匀,总的来说,在此项研究中获得的薄膜比同样生长条件下在水平反应器内生长的薄膜有更高的均匀性和更高的质量。