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| 双栅极场发射阵列的特性模拟与设计 | |
| 引用本文： | 庄学曾,夏善红.双栅极场发射阵列的特性模拟与设计[J].电子科学学刊,1998,20(1):114-119. |
| 作者姓名： | 庄学曾 夏善红 |
| 摘 要： | 具有聚集能力的双栅极场发射阵列（ＤＧＦＥＡ）是两类最有发展前途的真空微电子器件（高分辨率场发射显示器和真空微电子微波，毫米波器件）的关键技术，本文简要比较了两种结构的ＤＧＦＥＡ的主要性能和优缺点，叙述了双层栅极结构ＤＧＦＥＡ的设计与模拟方法。从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到，这种结构的ＤＧＦＥＡ能获得几乎平行的场发射电子束，其最大发射电流密度可达到约５００Ａ／ｃｍ＾２以上，是发展真空微电 |
| 关 键 词： | 真空微电子器件 微波器件 毫米波器件 |
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