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飞兆半导体推出60V PowerTrench MOSFET器件
摘 要:
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L,该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃,并提升DC—DC转换器的整体效率。
关 键 词:
MOSFET器件
飞兆半导体公司
Power
传导损耗
N沟道
关节点
转换器
DC
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