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飞兆半导体推出60V PowerTrench MOSFET器件
摘    要:飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道Power Trench MOSFET器件FDMS86500L,该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃,并提升DC—DC转换器的整体效率。

关 键 词:MOSFET器件  飞兆半导体公司  Power  传导损耗  N沟道  关节点  转换器  DC
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