| PECVD SiC材料刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 陈晟,李志宏,张国炳,郭辉,王煜,田大宇. PECVD SiC材料刻蚀技术[J]. 半导体学报, 2006, 27(13): 381-384 |
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| 作者姓名： | 陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871;北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871;北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871;北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871;北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871;北京大学微电子研究院 微米/纳米加工技术国家重点实验室，北京 100871 |
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| 摘 要： | 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀（RIE）和电感耦合反应离子刻蚀（ICP）实验研究，提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀，并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响. 进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响，同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
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| 关 键 词： | PECVD；碳化硅；反应离子刻蚀；电感耦合离子刻蚀；氢含量；功率 |
Etching Characteristics of PECVD SiC |
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| Chen Sheng,Li Zhihong,Zhang Guobing,Guo Hui,Wang Yu and Tian Day. Etching Characteristics of PECVD SiC[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(13): 381-384 |
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| Authors: | Chen Sheng Li Zhihong Zhang Guobing Guo Hui Wang Yu Tian Day |
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| Affiliation: | National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China;National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China;National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China;National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China;National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China;National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology,Institute of Microelectronics,Peking University 100871,China |
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| Abstract: | In this paper,we use reactive ion etching (RIE) and inductive coupled plasma reactive ion etching (ICP) method to test the etching characteristics in PECVD SiC under different pressures and powers.We prove the feasibility of using SF6 and He to etch PECVD SiC,discuss the relationship between pressure/power and etch rate in RIE,investigate the influence of hydrogen content in PECVD SiC etch rate under certain parameters,testify the existence of load efficiency in ICP. |
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| Keywords: | PECVD SiC reactive ion etching inductive coupled plasma reactive ion etching hydrogen content power |
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