| 纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究 |
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| 引用本文： | 吴成昌,肖夏,赵新为,张生才.纳米晶体硅量子点场发射冷阴极的研究[J].中国机械工程,2005,16(Z1):357-358. |
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| 作者姓名： | 吴成昌 肖夏 赵新为 张生才 |
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| 作者单位： | 1. 天津大学,天津,300072
2. 东京理科大学,日本东京,162-8601 |
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| 基金项目： | Tianjin Natural Sci. Found，天津市外国专家局资助项目 |
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| 摘 要： | 在n-Si(4～5Ω·cm)衬底上淀积了400nm厚的纳米晶体硅(nc-Si)量子点薄膜,将其制备成场致发射的冷阴极.介绍了nc-Si量子点冷阴极的制备,场致发射特性的测试,解释了nc-Si量子点冷阴极的工作模型及电子弹道发射的原理.透射电子显微镜(TEM)对样片的结构分析证实样片中的nc-Si量子点具有很好的单晶结构;原子力显微镜(AFM)对样片的表面形貌分析表明,样片具有平滑的表面,有利于提高冷阴极的发射效率.
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| 关 键 词： | 纳米晶体硅量子点 场致发射 冷阴极 弹道电子 |
| 文章编号： | 1004-132X(2005)S1-0357-02 |
| 修稿时间： | 2005年5月5日 |
Study on Cold Electron Emission Based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots |
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| Wu Chengchang,Xiao Xia,Zhao Xinwei,Zhang Shengcai.Study on Cold Electron Emission Based on Nanocrystalline Silicon Quantum Dots[J].China Mechanical Engineering,2005,16(Z1):357-358. |
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| Authors: | Wu Chengchang Xiao Xia Zhao Xinwei Zhang Shengcai |
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