| SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究 |
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| 引用本文： | 黄莉敏,谢家纯,梁锦,孙腾达.SiC紫外光电探测器高反压下增益性能的研究[J].微电子学,2005,35(4):357-359. |
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| 作者姓名： | 黄莉敏 谢家纯 梁锦 孙腾达 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，中国科学院知识创新工程项目 |
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| 摘 要： | 用宽禁带半导体n-4H-SiC和金属Au作肖特基接触,Ti、Ni、Ag合金作背底,形成欧姆接触,研制出Au/n-4H-SiC肖特基紫外探测器.文章测试并分析了器件在高压下的紫外光电响应的高增益特性,反压150 V下,增益可达到3.8×104.在高反压下(100 V以上),探测器的光谱响应曲线出现了锐上升和锐截止,在260～380 nm之间,有非常平稳的光谱响应;在高温533 K无偏压下,紫外响应特性仍然保持良好.
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| 关 键 词： | 宽带隙 碳化硅 肖特基接触 光谱响应 紫外探测器 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）04-0357-03 |
| 收稿时间： | 2004-10-27 |
| 修稿时间： | 2004-10-27 |
A Study on the Gain Performance of SiC Ultraviolet Photodetectors at High Reverse Biased Voltage |
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| HUANG Li-min,XIE Jia-chun,Liang Jin,SUN Teng-da.A Study on the Gain Performance of SiC Ultraviolet Photodetectors at High Reverse Biased Voltage[J].Microelectronics,2005,35(4):357-359. |
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| Authors: | HUANG Li-min XIE Jia-chun Liang Jin SUN Teng-da |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Wide-band gap SiC Schottky contact Spectrum response UV detector |
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