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过渡层ZrO2对不同沉积厚度TiO2薄膜结构的影响
引用本文:杜玉军,杨陈,惠迎雪. 过渡层ZrO2对不同沉积厚度TiO2薄膜结构的影响[J]. 材料导报, 2007, 21(8): 146-147
作者姓名:杜玉军  杨陈  惠迎雪
作者单位:西安工业大学光电学院,西安,710032;西北工业大学材料学院,西安,710072;西安工业大学光电学院,西安,710032;西北工业大学材料学院,西安,710072
基金项目:陕西省教育厅资助项目,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室项目
摘    要:TiO2作为高介电常数材料已被广泛研究.为了防止TiO2与Si基底发生反应,在Si与TiO2之间加入与TiI2结构相似热稳定性好的ZrO2作为过渡层.改变TiO2薄膜厚度,并在900℃对薄膜进行1h退火处理.通过XRD分析显示,随着TiO2厚度减小,各衍射峰强度逐渐降低,但各峰位及其相对强度无明显变化.通过SEM可以发现,热处理前各薄膜均无裂纹和孔洞.热处理后,TiO2厚度为150m及80nm的薄膜平整光滑无裂纹孔洞,晶粒排列致密晶界清晰,当TiO2厚度降为30nm时,薄膜仍平整光滑,只在晶界上出现因热处理而产生的缩孔.

关 键 词:TiO2薄膜  ZrO2过渡层  电子束蒸发  薄膜厚度  薄膜结构

Effect of ZrO2 Buffer Layer on the Structures of TiO2 Films with Various Deposition Thicknesses
DU Yujun,YANG Chen,XI Yingxue. Effect of ZrO2 Buffer Layer on the Structures of TiO2 Films with Various Deposition Thicknesses[J]. Materials Review, 2007, 21(8): 146-147
Authors:DU Yujun  YANG Chen  XI Yingxue
Abstract:
Keywords:TiO2 film  ZrO2 buffer layer  reactive electron beam evaporation  film thickness   film structure  
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