| 脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究 |
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| 引用本文： | 龙飞,杜江锋,罗谦,靳翀,周伟,夏建新,杨谟华.脉冲条件下GaN HEMT电流崩塌效应研究[J].微电子学,2005,35(5):478-481. |
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| 作者姓名： | 龙飞 杜江锋 罗谦 靳翀 周伟 夏建新 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054 |
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| 摘 要： | 基于GaN HEMT器件实验测试结果,提出了一种GaN电流崩塌效应产生的新观点.大量测试分析发现,脉冲条件下,漏极电流比直流时减小大约50%;脉冲信号频率对电流崩塌效应影响较小;当栅压较小时,随着脉冲宽度的改变,漏脉冲电流按I0 (0.89 γ T/16)的规律变化.分析认为,电子从栅极注入到栅漏之间,并被表面态捕获,在沟道中形成增加的耗尽层,使得沟道电流减小,从而导致电流崩塌效应.该结论可望用于GaN HEMT器件在脉冲条件下电流崩塌效应进一步的理论探讨和实验研究.
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| 关 键 词： | 电流崩塌效应 表面态 脉冲测试 |
| 文章编号： | 1004-3365（2005）05-0478-04 |
| 收稿时间： | 2005-05-07 |
| 修稿时间： | 2005-05-072005-08-01 |
A Study on Current Collapse in GaN HEMT's Induced by Pulsed Stress |
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| LONG Fei, DU Jiang-feng, LUO Qian, JIN Chong, ZHOU Wei, XIA Jian-xin, YANG Mo-hua.A Study on Current Collapse in GaN HEMT''''s Induced by Pulsed Stress[J].Microelectronics,2005,35(5):478-481. |
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| Authors: | LONG Fei DU Jiang-feng LUO Qian JIN Chong ZHOU Wei XIA Jian-xin YANG Mo-hua |
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| Affiliation: | School of Microelectronics and Solid-State Electronics, Univ. of Elec. Sci. and Technol, of China, Chengdu, Sichuan 610054, P. R, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN HEMT |
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