反铁电液晶正铁电相的介质分散

我们研究了反铁电液晶（R）-1-甲基庚基-4（4~-n-十二烷基氧联苯-4’碳烃氧基）-3-氟-苯甲酸盐铁电SmC相和正铁电SmCr相的介电特性。对于SmCr相,在实验的频率范围内判别出3种介质张驰。低频下具有高介质损耗的2种弛豫过程归因于锥角φ附近分子的方位变化。这些驰豫现象与温度和外加偏置电场间有函数关系。除了2个低频损耗过程外,还观察到一个额外的、强度较弱的损耗过程。