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| 半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述 | |
| 引用本文： | 常剑,蒋登高,詹自力,宋文会.半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述[J].传感器世界,2003,9(8):14-18. |
| 作者姓名： | 常剑 蒋登高 詹自力 宋文会 |
| 作者单位： | 1. 河南省郑州市文化路97号郑州大学工学院 2. 郑州大学教务处 3. 郑州大学化工学院 |
| 摘 要： | 本文结合半导体金属氧化物的电学特性，从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发，对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关，因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。 |
| 关 键 词： | 半导体金属氧化物 气敏材料 气敏机理 表面吸附 催化氧化反应 气体传感器 |
| 文章编号： | 1006-883X(2003)08-0014-05 |
Summary Of Gas-Sensing Mechanism Of Semiconductor Metal Oxide Sensitive Material |
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