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| poly—Si TFT制作工艺探索 | |
| 引用本文： | 张建军,吴春亚,等. poly—Si TFT制作工艺探索[J]. 液晶与显示, 1998, 13(1): 40-45 |
| 作者姓名： | 张建军 吴春亚 等 |
| 作者单位： | [1]南开大学光电子所,国家教委光学信息技术科学开放研究实验室,天津300071 [2]南开大学光电子所,国家教委光学信 |
| 摘 要： | 对poly-Si TFT的制作工艺进行了研究，采用准分子激光晶体法制备了多晶硅薄膜，并以Mo,Al两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属源漏电极ploy-Si TFT的性能进行了比较。研究了退火其性能的影响，结果表明材料性能是符合要求的。 |
| 关 键 词： | poly－SiTFT 源漏接触 退火 制作工艺 准分子激光晶化 多晶硅薄膜 源漏电极 |
EXPLORATION FOR TECHNOLOGY OF POLY-Si TFT |
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| Abstract: | |
| Keywords: | poly-Si TFT laser crystallized source drain contact annealing |
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