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| Ⅲ-V 族锑化物半导体材料 | |
| 作者姓名： | 韦光宇 彭瑞伍 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所 上海(200050) |
| 摘 要： | 本文总结了Ⅱ-Ⅴ族锑化物半导体材料的进展,其中包括生长的物理化学原理和主要工艺,介绍了主要的锑化物体单晶、薄膜和结构材料,并列举了它们的性质以及这些材料应用于光电器件方面的最新结果. |
| 关 键 词： | 锑化物材料 物理化学 晶体生长 结构材料 激光器 探测器 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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