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| AlGaAs－InGaP／GaAs HBT，f_T高达245GHz | |
| 引用本文： | 孙再吉.AlGaAs－InGaP／GaAs HBT，f_T高达245GHz[J].固体电子学研究与进展,1994(3). |
| 作者姓名： | 孙再吉 |
| 摘 要： | ＡｌＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，ｆ_Ｔ高达２４５ＧＨｚ《ＩＥＥＤＩＪ》１９９３年第１２期报道了一种新的ＨＢＴ，采用ＡＩＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ发射区结构。该结构在发射极形成一个电子发射器，产生速度过冲效应。它一方面增强了发射极输运，同时减少了?.. |
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