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水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究
引用本文:孙彤,孙平.水热法制备PLZT多元铁电薄膜的研究[J].真空科学与技术,2000,20(1):19-21.
作者姓名:孙彤  孙平
作者单位:东南大学电子工程系
摘    要:研究了在水热条件下制备PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜的优化工艺条件。讨论了反应温度,反应历程,反应时间等不同工艺条件对PLZT多元铁电薄膜结构、结晶取向的影响。结果表明,采用两步法合成工艺能够在Ti基片上制备出纯钙钛矿相结构,粒径为1μm,薄膜厚度为5μm介电数为ε=450的PLZT(8/65/35)多元铁电薄膜。

关 键 词:水热法  锆钛酸铅  铁电薄膜  结构  结晶状态
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