| 氨化合成一维GaN纳米线 |
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| 引用本文： | 王显明,杨利,王翠梅,薛成山.氨化合成一维GaN纳米线[J].稀有金属材料与工程,2004,33(6):670-672. |
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| 作者姓名： | 王显明 杨利 王翠梅 薛成山 |
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| 作者单位： | 山东师范大学,山东,济南,250014 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金重大研究计划(90201025)，国家自然科学基金(60071006)资助项目 |
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| 摘 要： | 用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法，成功地合成了一维GaN纳米线。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品进行了分析。生成的GaN纳米线平直光滑，其直径为20nm～90nm，长可达50μm；纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN，沿110]方向生长。用此工艺制备GaN纳米线，避免了在制备过程中引入杂质，合成的纳米线纯度较高。
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| 关 键 词： | 氨化 Ga2O3薄膜 GaN纳米线 射频磁控溅射 |
| 文章编号： | 1002-185X(2004)06-0670-03 |
| 修稿时间： | 2002年12月10 |
Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating |
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| Wang Xianming,Yang Li,Wang Cuimei,Xue Chengshan.Synthesis of One-Dimensional GaN Nanowires by Ammoniating[J].Rare Metal Materials and Engineering,2004,33(6):670-672. |
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| Authors: | Wang Xianming Yang Li Wang Cuimei Xue Chengshan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ammoniating Ga2O3 thin film GaN nanowires rfmagnetron sputtering |
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