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| 多值忆阻器的写入方式研究 | |
| 作者姓名： | 许诺 方粮 汤振森 张超 池雅庆 |
| 作者单位： | 国防科学技术大学计算机学院;高性能计算国家重点实验室(国防科学技术大学); |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(61332003) |
| 摘 要： | 通过改变忆阻器在SET过程中的限制电流或在RESET过程中的电压边界,是实现多值存储的常用方法.而针对某一种方法,又存在多种不同的写入方式.针对在SET过程中通过改变限制电流大小而实现多值的方法,提出了两种不同的写入方式,为其命名为"先判断后写入"和"先擦除后写入".分别使用两种方式对制备的Au/TiO2/Au器件测试发现,"先判断后写入"的方式由于减小了操作过程中的RESET次数而比"先擦除后写入"的方式具有更明显的阻值窗口和更好的低阻值的均一性. |
| 关 键 词： | 忆阻器 存储 多值 写入方式 均一性 |
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