片上温漂补偿的压阻式压力芯片的设计与制造

为解决硅压阻式压力芯片灵敏度随着温度变化发生漂移的问题，本文设计了一种在片上集成温度补偿结构的压力芯片。在压力芯片上制备电阻温度系数(TCR)为负数的多晶硅电阻用于分压，调整不同温度下的惠斯通电桥端电压以达到灵敏度补偿的效果。本文的研究包含理论分析、参数计算，并进行了芯片制备和性能测试。性能测试结果表明，补偿后的耐高温封装传感器芯片在-50~270℃区间内，温漂为-0.034%FS/℃，简易封装传感器芯片在常温（-40~125℃）区间内的温漂为-0.008%FS/℃，该补偿芯片的温漂远小于无补偿的压力芯片。