| C312-1型大功率LDMOS功率管外壳 |
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| 引用本文： | 杨建,胡进,程凯,王子良,王佃利,丁晓明. C312-1型大功率LDMOS功率管外壳[J]. 固体电子学研究与进展, 2011, 31(3) |
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| 作者姓名： | 杨建 胡进 程凯 王子良 王佃利 丁晓明 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | <正>LDMOS功率管在雷达、无线通讯基站、无线广播发射塔等电子系统中具有广泛的应用,而该类器件对外壳的散热和可靠性有很高的要求。南京电子器件研究所最近研制成一种用于封装300 W LDMOS功率管的高可靠外壳—C312-1型多层陶瓷外壳,具有比较优异的性能。该外壳由金属底板、陶瓷框架和陶瓷盖板组成,器件采用金锡封帽工
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Package for LDMOS Power Amplifier |
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| YANG Jian,HU Jin,CHENG Kai,WANG Ziliang,WANG Dianli,DING Xiaoming. Package for LDMOS Power Amplifier[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2011, 31(3) |
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| Authors: | YANG Jian HU Jin CHENG Kai WANG Ziliang WANG Dianli DING Xiaoming |
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