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非掺SI—GaAs单晶热处理的研究
作者姓名:
徐玉忠 唐发俊
摘 要:
采用闭管As气氛保护高-低-中温热处理方法进行非掺SI-GaAs单晶热处理的研究,结果表明晶体的科技司有明显的改善,一般晶体的迁移率可提高一倍以上,在Φ3英寸非掺SI-GaAs单晶研究中,其晶体的电阻率不均匀性≤15%,EL2RSD≤5%,PL-Mapping≤9%。
关 键 词:
非掺SI-GaAs 热处理工艺 砷化镓 单晶
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