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| 用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性 | |
| 引用本文： | 阎发旺.用高分辨率电子显微技术研究Ⅲ族氮化物半导体的特性[J].半导体情报,1997,34(3):53-56. |
| 作者姓名： | 阎发旺 |
| 摘 要： | 利用高分辨率电子显微技术研究了等离子体增强分子束外延（ＰＥ－ＭＢＥ）生长的ＧａＮ，Ａｌｎ和ＩｎＮ薄膜的微结构特性。闪匀矿和纤锌矿多晶相分别在（００１）ＧａＡｓ和０００１）６Ｈ－ＳｉＣ衬底上优先成核。沿（１１１）平面的层微孪晶是闪锌矿结构薄膜的主要缺陷，而在纤锌矿结构薄膜中，以沿（０００２）平面的层错和始于衬底表达的线缺陷更为常见。在适宜的缓冲层上生长的薄膜晶体质量有所提高. |
| 关 键 词： | 氮化物半导体 电子显微技术 高分辨率 |
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