| 共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究 |
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| 引用本文： | 何双赐,钟志成,魏彦锋,汪竞阳.共溅射法制备AZO薄膜及其光电性能的研究[J].表面技术,2018,47(5):233-238. |
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| 作者姓名： | 何双赐 钟志成 魏彦锋 汪竞阳 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学 材料与冶金学院,武汉 430081;湖北文理学院 物理与电子工程学院,湖北 襄阳 441053;湖北文理学院 物理与电子工程学院,湖北 襄阳,441053 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51302075;61302004)，湖北省自然科学基金(ZRZ2015000203) |
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| 摘 要： | 目的研究Al靶直流溅射功率对Al掺杂ZnO(AZO)薄膜光电性能的影响。方法以金属Al和ZnO陶瓷作为靶材,采用直流与射频双靶磁控共溅射的方法,在玻璃基片上制备AZO薄膜。通过改变Al靶直流溅射功率,获得不同的薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱仪(XPS)、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)、四探针测试仪,对薄膜的微观形貌结构及光电性能进行表征和分析。结果所制备的AZO薄膜均具有C轴取向生长的六角纤锌矿结构,在可见光区域平均透过率超过90%,AZO薄膜的吸收边相比于ZnO薄膜出现了蓝移。当Al靶溅射功率为18 W时,AZO薄膜的最低电阻率为2.49×10~(-3)?·cm,品质因子为370.2 S/cm。结论 Al直流溅射功率对AZO薄膜光电性能的影响较大,溅射功率为18 W时,制备的AZO薄膜性能最优。
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| 关 键 词： | AZO薄膜 共溅射 溅射功率 光电性能 |
| 收稿时间： | 2017/10/31 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2018/5/20 0:00:00 |
Preparation and Opto-Electrical Properties of Co-sputtered AZO Thin Films |
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| HE Shuang-ci,ZHONG Zhi-cheng,WEI Yan-feng and WANG Jing-yang.Preparation and Opto-Electrical Properties of Co-sputtered AZO Thin Films[J].Surface Technology,2018,47(5):233-238. |
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| Authors: | HE Shuang-ci ZHONG Zhi-cheng WEI Yan-feng and WANG Jing-yang |
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| Affiliation: | 1.School of Materials and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, China;2.School of Physics and Electronic Engineering, Hubei University of Arts and Science, Xiangyang 441053, China,School of Physics and Electronic Engineering, Hubei University of Arts and Science, Xiangyang 441053, China,School of Physics and Electronic Engineering, Hubei University of Arts and Science, Xiangyang 441053, China and School of Physics and Electronic Engineering, Hubei University of Arts and Science, Xiangyang 441053, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AZO thin films co-sputtered sputtering power photoelectric properties |
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