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热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力
引用本文:金曾孙,姜志刚,胡航,曹庆忠.热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力[J].新型炭材料,2003,18(1):65-68.
作者姓名:金曾孙  姜志刚  胡航  曹庆忠
作者单位:1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023
2. 河南黄河实业集团股份有限公司,河南,长葛,461500
基金项目:国家863新材料领域资助项目
摘    要:采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。

关 键 词:热阴极DC-PCVD  金刚石厚膜  生长特性  内应力
文章编号:1007-8827(2003)01-0065-04
修稿时间:2002年11月13

The growth behavior and internal stress of diamond thick films synthesized by hot-cathode DC-PCVD
Abstract:
Keywords:Hot-cathode DC-PCVD  Diamond thick films  Growth behavior  Internal stress
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