热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力 |
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引用本文: | 金曾孙,姜志刚,胡航,曹庆忠.热阴极DC-PCVD方法制备的金刚石厚膜的生长特性和内应力[J].新型炭材料,2003,18(1):65-68. |
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作者姓名: | 金曾孙 姜志刚 胡航 曹庆忠 |
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作者单位: | 1. 吉林大学,超硬材料国家重点实验室,吉林,长春,130023 2. 河南黄河实业集团股份有限公司,河南,长葛,461500 |
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基金项目: | 国家863新材料领域资助项目 |
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摘 要: | 采用热阴极DC PCVD(DirectCurrentPlasmaChemicalVaporDeposition)方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜,研究了金刚石厚膜的生长特性和内应力状态。由热阴极DC PCVD方法制备的金刚石厚膜大多数为〈110〉取向,表面显露面主要是(100)面和(111)面,厚膜的表面被较多的孪晶所覆盖,部分(111)面退化为3个相互垂直的(110)面,孪晶使厚膜表面结晶特性复杂化,金刚石厚膜的晶粒沿生长方向呈现柱状生长。金刚石厚膜的生长速率随甲烷流量和工作气压的增加而增加,但随生长速率的提高金刚石膜的品质明显下降。金刚石厚膜的内应力以压应力为主,随着甲烷浓度的增加压应力增加,随着工作气压的增加压应力减小,到某个气压之后变为张应力。
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关 键 词: | 热阴极DC-PCVD 金刚石厚膜 生长特性 内应力 |
文章编号: | 1007-8827(2003)01-0065-04 |
修稿时间: | 2002年11月13 |
The growth behavior and internal stress of diamond thick films synthesized by hot-cathode DC-PCVD |
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Abstract: | |
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Keywords: | Hot-cathode DC-PCVD Diamond thick films Growth behavior Internal stress |
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