| Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgxO)3-x陶瓷薄膜的制备及介电性能研究 |
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| 引用本文： | 陈敬峰,杜丕一,覃莹,翁文剑,韩高荣.Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgxO)3-x陶瓷薄膜的制备及介电性能研究[J].稀有金属材料与工程,2008,37(Z1):86-89. |
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| 作者姓名： | 陈敬峰 杜丕一 覃莹 翁文剑 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50372057);国家自然科学基金重点项目(50332030);国家重大基础研究项目("973"计划)(2002CB613302)资助 |
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| 摘 要： | 利用固相烧结法制备的Mg掺杂Pb0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-x(PST)陶瓷为靶材,采用射频磁控溅射法在ITO玻璃基板上成功制备了Mg掺杂PST薄膜.用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和阻抗分析仪分别测定PST薄膜的物相结构、表面形貌及介电性能.结果显示,薄膜具有良好的钙钛矿结构,无明显的择优取向生成,薄膜表面均匀致密.Mg的掺杂改善了PST薄膜电容值的频率特性,使其更加稳定.薄膜电容值随着掺杂含量的增加而降低,在Mg掺杂量x=0.05左右时达到相对最低值,随后略有升高,介电损耗也有类似现象.薄膜可调性受Mg掺杂量的增加而不断下降,总体下降约3倍,但介电损耗总体下降约达5倍.材料的优值在Mg掺杂量x=0.05时反而有所升高.
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| 关 键 词： | PST薄膜 射频磁控溅射 Mg掺杂 介电性能 |
| 文章编号： | 1002-185X(2008)S1-086-04 |
| 修稿时间： | 2007年9月17日 |
Study on the Dielectric Properties of Pbo0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-xThin Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering |
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| Chen Jingfeng,Du Piyi,Qin Ying,Weng Wenjian,Han Gaorong.Study on the Dielectric Properties of Pbo0.3Sr0.7(Ti1-xMgx)O3-xThin Films Prepared by RF-Magnetron Sputtering[J].Rare Metal Materials and Engineering,2008,37(Z1):86-89. |
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| Authors: | Chen Jingfeng Du Piyi Qin Ying Weng Wenjian Han Gaorong |
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