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氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响
引用本文:向鑫,陈长安,刘柯钊,彭丽霞,饶咏初. 氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响[J]. 稀有金属, 2009, 33(4). DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.011
作者姓名:向鑫  陈长安  刘柯钊  彭丽霞  饶咏初
作者单位:表面物理与化学国家重点实验室,四川,绵阳,621907
基金项目:国家自然科学基金项目 
摘    要:通过离子注入技术在铝中引入C,He两元素,并采用氦热脱附谱(THDS)研究了C掺杂对铝中氦行为的影响.注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间,分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移.C掺杂后,铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物,造成样品中气体释放延迟.然而,随着C掺杂剂量的增加,THDS谱发生显著改变,低温区出现明显的释放峰,且C掺杂量越高,低温区的释放峰个数越多.

关 键 词:  氦热脱附谱  碳掺杂  氦行为

Effect of Carbon Doping on Helium Behavior in Aluminum Studied by Thermal Helium Desorption Spectrometry
Xiang Xin,Chen Changan,Liu Kezhao,Peng Lixia,Rao Yongchu. Effect of Carbon Doping on Helium Behavior in Aluminum Studied by Thermal Helium Desorption Spectrometry[J]. Chinese Journal of Rare Metals, 2009, 33(4). DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.011
Authors:Xiang Xin  Chen Changan  Liu Kezhao  Peng Lixia  Rao Yongchu
Abstract:
Keywords:
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