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| 化学水浴法制备CuxS薄膜 | |
| 引用本文： | 汤会香,严密,张辉,王志浩,杨德仁. 化学水浴法制备CuxS薄膜[J]. 太阳能学报, 2003, 0(Z1): 70-72 |
| 作者姓名： | 汤会香 严密 张辉 王志浩 杨德仁 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| 基金项目： | 国家"863"资助项目(2001AA513023). |
| 摘 要： | CuInS2薄膜是最有前途的多晶薄膜太阳电池材料.为了用化学水浴法制备CuIn岛薄膜,该文研究了化学水浴法制备CuxS薄膜,用SEM、XRD、EDX分别研究了薄膜的形貌、结构和组分,并且对薄膜的光学性质进行了讨论. |
| 关 键 词： | 化学水浴法 CuxS薄膜 |
| 文章编号： | 0254-0096(2003)增刊-0070-03 |
| 修稿时间： | 2002-08-20 |
THE PREPARATION OF CuxS THIN FILM BY CHEMICAL BATH DEPOSITION |
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