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VLSI中互连线工艺变化的若干问题研究进展
引用本文:张瑛,王志功,Janet M.Wang,方承志. VLSI中互连线工艺变化的若干问题研究进展[J]. 电路与系统学报, 2010, 15(3)
作者姓名:张瑛  王志功  Janet M.Wang  方承志
作者单位:1. 东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096;南京邮电大学,电子科学与工程学院,江苏,南京,210046
2. 东南大学,射频与光电集成电路研究所,江苏,南京,210096
3. 亚利桑那大学,电子工程系,美国亚利桑那州,AZ8742
4. 南京邮电大学,电子科学与工程学院,江苏,南京,210046
基金项目:中国博士后科学基金,南京邮电大学引进人才科研启动基金 
摘    要:随着超大规模集成电路制造进入深亚微米和超深亚微米阶段,互连线的工艺变化已成为影响集成电路性能的重要因素.针对该问题,结合作者的研究工作,综述了目前国内外互连线工艺变化若干关键问题的研究进展情况,重点介绍工艺变化条件下互连线寄生电参数及其传输性能的研究方法,并分析不同技术的特点和局限性.最后展望了互连线工艺变化问题今后的研究发展方向.

关 键 词:工艺变化  互连线  蒙特卡洛法  寄生参数提取  多项式混沌

Research progress of some problems in interconnect process variations of VLSI
ZHANG Ying,WANG Zhi-gong,Janet M.Wang,FANG Cheng-zhi. Research progress of some problems in interconnect process variations of VLSI[J]. Journal of Circuits and Systems, 2010, 15(3)
Authors:ZHANG Ying  WANG Zhi-gong  Janet M.Wang  FANG Cheng-zhi
Abstract:
Keywords:
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