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CdS薄膜的制备、结构和光致发光性能
引用本文:王军超,朱燕艳.CdS薄膜的制备、结构和光致发光性能[J].微纳电子技术,2014(5):324-327.
作者姓名:王军超  朱燕艳
作者单位:上海电力学院;
基金项目:国家自然科学基金资助项目(11305100);上海市教委科研创新重点项目(12zz175)
摘    要:CdS薄膜是一种n型半导体材料,用于CdTe多晶薄膜太阳电池的窗口层,其质量直接影响太阳电池的光电转换效率和寿命。用磁控溅射法制备了CdS薄膜,通过对薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光和紫外-可见光谱等测试,研究了CdS薄膜的制备工艺对薄膜结晶度、表面形貌和禁带宽度的影响关系。研究发现,随着CdS薄膜溅射功率的升高,薄膜的结晶度变好,晶粒增大,薄膜增厚,光致发光峰强度增加,禁带宽度减小;随着溅射气压减小,薄膜厚度增大,光致发光峰强度减小,禁带宽度减小。

关 键 词:CdS薄膜  X射线衍射(XRD)  光致发光  磁控溅射法  太阳电池
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