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| 毫米波磷化铟体效应二极管 | |
| 作者姓名： | 邓衍茂 |
| 摘 要： | 南京固体器件研究所采用In/PCI_3/H_2系统气相外延生长的n~+-n-n~+InP材料,采用适用于InP的Au-Ge-Ni合金欧姆接触、化学腐蚀减薄衬底和光照刻蚀台面等工艺,制作了台式镀金热沉结构的毫米波段连续波体效应振荡二极管(见照片)。该器件有源区的掺杂浓度为7.35×10~(15)cm~(-3),厚度为2.85μm;台面直径约70μm,台面高度为15μm;管壳系无边缘同轴封装。用V波段同轴波导腔测试微波性能,得到的初 |
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